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  自始啟用 8 英吋 0.18 微米高密度垂直溝槽式設計,應用於金屬氧化物場效應電晶體 MOSFET ,迄今已發行超過100種低壓 MOSFET 規格產品使用短通道技術設計MOSFET及IGBT產品,將細胞密度從133M/in² 增加至700M/in² ,使晶粒的面積縮小30%以上,並且完全不影響原產品電器特性。

  由於Buried Gate與Narrow Trench Width之創新技術,可降低Rg和Qgd,使MOSFET可應用於高速操作頻率之電子系統上。淺溝槽金氧化電晶體製程技術可使得Qgd/Qgs比值更小於1,可避免擊穿效應發生。
 
  製程技術為晶群 MOSFET開發產品之重點故以製程技術之開發來擬定研發之時間表,在每一項製程技術之研發期間當訂定一個有開發價值之產品為製程驗證之工具,到該項製程技術順利完成移轉到生產線時,後續再由產品行銷主導規劃使用該製程之整系列新產品。
 
  此外,類比IC 技術亦展現於鋰電池保護 IC極低功耗高精度激光修正製程產品媲美日系. LED 恆流驅動IC 應用於戶內外顯示屏幕則側重於低溫度漂移高靜電電壓破壞特性並具有能消除一般殘影殘留問題 。
 

 


 
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