English 加入我的最愛聯繫我們
關於晶群產品資訊產品技術公司新聞聯繫我們
行業新聞
公司新聞
技術分享
 
     
  聯繫我們
電話:+886-2-8712-3977
傳真:+886-2-8712-0263
信箱:gem1@gemmicro.com.tw
地址:台北市南京東路四段171號9樓
 
     
   行業新聞
  E系列:Vishay推出超低最大导通电阻

产品特性:超低最大导通电阻,超低栅极电荷
22A~47A的额定电流范围
可承受雪崩和整流模式中的高能脉冲
应用范围:
通信电源系统、电池充电器、高强度放电照明、太阳能逆变器等

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。

与前一代S系列器件相比,新的E系列技术使导通电阻降低了30%。根据应用的不同,这些产品可以提供更高的功率密度,使转换效率更上一层楼。由于这个新平台具有更低的输入电容,栅极驱动损耗也减少了。

近日发布的12 E系列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET,在10V下的导通电阻分别为190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247和TO-263 (D2PAK)封装。此外,在10V下导通电阻为64mΩ的47A器件采用TO-247封装,导通电阻为150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220、TO-263 (D2PAK)和TO-247封装。

E系列的超低导通电阻意味着极低的导通和开关损耗,在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、高强度放电(HID)照明、荧光灯镇流器照明、半导体固定设备,太阳能逆变器和感应加热等高功率、高性能的开关模式应用中能够节约能源。

器件经过精心设计,可承受雪崩和整流模式中的高能脉冲,并且保证达到通过100% UIS测试所要求的各种极值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款功率MOSFET现可提供样品,量产订货的供货周期为十六周到十七周。


回上一頁
 
    關於晶群 | 產品資訊 | 產品技術 | 公司新聞 | 聯繫我們回首頁
Copyright © 2012 晶群科技有限公司版權所有 All Rights Reserved
网站维护:深一深圳网络公司